Transistor: SI9945BDY-T1-GE -unipolar, N-MOSFET, dual; 60V; 5.3A; 3.1W; SO8 - TRAS04

Transistor: SI9945BDY-T1-GE -unipolar, N-MOSFET, dual; 60V; 5.3A; 3.1W; SO8 - TRAS04

Disponibilidade: Em stock

Preço (com IVA): €5,54

Preço (sem IVA): €4,50

Descrição

Detalhes

Transistor type	unipolar, N-MOSFET, dual
Drain-source voltage	60V
Drain current	5.3A
Power	3.1W
Case	SO8
Mounting	SMD

Características técnicas

Categoría: Productos semiconductores discretos
Familia: FET - Matrices
Carga de compuerta (Qg) según Vgs: 20 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds: 665 pF a 15 V
Potencia máxima: 3.1 W
Temperatura de operación: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje: en superficie
Encapsulado: SMD SOP8
Fabricante: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Tipo: FET Doble canal N (doble)
Característica de FET: Compuerta de nivel lógico
Voltaje drenaje-fuente (Vdss): 60 V
Corriente, consumo continuo (Id) a 25 ºC: 5.3 A
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C: 80 mOhm a 4.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id: 3 V a 250 µA

Informações básicas

N.º de itens em stock:	2
Fabricante - Catálogo n.º:	SI9945BDY-T1-GE, SI9945BDY, SI9945BDYT1GE ,
Produto n.º:	TRAS04

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